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유기메모리소자 정보저장 능력 4배 향상 기술 개발포스텍 신소재공학과 이장식 교수팀, 공정단계 획기적으로 줄여
손석호기자  |  ssh@hidomin.com
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승인 2014.12.22  
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[경북도민일보 = 손석호기자]  포스텍 신소재공학과 이장식<사진>교수팀이 차세대 입는 컴퓨터에 사용될 플렉서블 메모리 소자로 주목받는 유기메모리소자의 정보저장 능력을 4배 향상시키는 기술을 개발했다.
 이 교수팀은 21일 유기메모리소자에서 정보저장층으로 사용되는 금 나노입자에 실리카 껍질을 나노미터 두께로 입히는 방법으로 저장된 정보의 안정성을 금 나노입자만 사용했을 때보다 4배 향상시키는 데 성공했다고 밝혔다. 
 이 교수팀의 실험결과 실리카 껍질을 입힌 금 나노입자로 만든 유기메모리소자는 저장된 메모리가 1년 후 60% 유지되는 것으로 나타나 금 나노입자만 사용한 경우(메모리 유지비율 15% 정도)보다 정보저장능력이 4배 향상된 것으로 나타났다.
 이 교수는 “이번 기술 향상은 유기메모리소자를 당장 상용화하는 데는 부족하지만 상용화에 가장 큰 문제점이었던 정보저장능력을 근본적으로 개선할 방법을 제시하고 제조공정 단계를 획기적으로 줄였다는 데 의미가 있다”고 말했다.


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