[경북도민일보 = 손석호기자] 　인텔 창업자인 고든 무어는 반도체의 집적도는 18개월마다 2배로 늘어난다는 ‘무어의 법칙’을 내놨다.
　이 법칙을 위해서는 반도체에 2배로 정교한 회로를 그려 넣는 기술이 필요하지만 비용이나 공정 면에서 상용화가 어려워 가까운 미래에는 집적도가 한계에 다다를 것이라는 의미로 받아들여지고 있다.
　그러나 이를 해결할 수 있는 기술을 포스텍 연구팀이 개발해 관심을 모으고 있다.
　포스텍은 신소재공학과 이태우<사진> 교수와 박사과정 이영준씨 연구팀이 나노선 정렬프린팅 공정을 이용해 고집적 메모리소자인 멤리스터 어레이를 만드는 데 성공했다고 28일 밝혔다.
　멤리스터는 메모리와 레지스터 합성어로 이전 상태를 모두 기억하는 메모리 소자와 전원공급이 끊어져도 직전에 통과한 전류 방향과 양을 기억하기 때문에 전원이 다시 공급되면 그대로 복원된다.
　연구팀에 따르면 나노선은 원하는 방향과 위치에 맞게 조절하는 것이 어려워 실제로 큰 면적과 고집적도를 가진 전자소자로 구현하기 힘들다.
　그러나 이번에 메모리 소자 어레이에 전기장을 이용해 금속 나노선을 기판 위에 직접 정렬시키는 기술을 응용했다.
　이 기술은 나노구조체의 패턴 형태나 간격을 자유롭게 조절할 수 있어 소자특성이나 집적도를 손 쉽게 제어할 수 있고 초정밀 나노 프린터를 만들게 되면 궁극적으로 아주 작은 크기의 메모리 소자 제작도 가능하다고 연구팀은 설명했다.