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DGIST ‘피로 파괴 현상’ 원인 세계 첫 규명이현준 선임연구원 연구팀, 산화물반도체 전자소자 고속 동작 시 흐름 차단현상 발견
이창재기자  |  lcj@hidomin.com
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승인 2018.01.12  
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[경북도민일보 = 이창재기자]  DGIST가 지능형소자융합연구실 이현준<사진> 선임연구원 연구팀이 소자파괴 현상피로 누적에 의한 소자 파괴 현상(이하 피로 파괴 현상)의 원인을 세계 최초로 규명했다고 11일 밝혔다.
 소자파괴현상은 전자제품에 포함된 전자소자들이 동작하면서 받는 다양한 스트레스(피로 현상)에 의해 각각의 소자 수명이 서서히 감소하는 피로 누적에 의한 현상을 말한다.

 연구팀은 산화물 반도체로 제작된 전자소자가 고속으로 동작할 때 발생하는 소자의 피로 누적 현상의 원인으로 ‘비대칭적 국소 전자 흐름의 방해 현상’이 나타난다는 사실을 발견하고 고주파수 교류신호 인가 실험 및 수치 연산을 활용해 피로 파괴 현상을 증명했다.
 실리콘 반도체에 비해 전도성이 우수한 산화물 반도체는 나노미터 수준에서도 물질의 전도성이 좋아 최근 산업체에서 활발하게 사용하고 있는 반도체 재료로 인공지능(AI)를 구현하기 위한 시스템 개발 등의 분야에서 활용하고 있다.
 산화물 반도체는 높은 전자 이동도와 기존 반도체 양산 공정을 이용할 수 있다는 장점으로 차세대 디스플레이 소자의 핵심 소재로 주목받으며 산업체에서 다양한 전자제품에 적용하고 있다.
 하지만 전기적 신호에 따른 피로 누적 현상으로 인한 여러 가지 문제점들로 인해 상용화에 어려움을 겪어 왔다.
 이현준 선임연구원은 집적회로에서 인가되는 신호와 유사한 교류신호를 다양한 진동수 형태로 주입하는 신뢰성 평가 방법, 집적회로에서 발생하는 피로 누적 현상을 단위 소자에서 평가하는 방법을 동시에 적용, 피로 누적에 의한 소자 파괴 현상을 발견했다.
 이런 피로 누적 현상은 비대칭적 국소 영역에서 발생하며 전자의 흐름을 방해하는 에너지 장벽으로 작용해 소자의 수명이 단축된다는 사실을 수치 해석방법으로 증명했다.
 연구팀이 규명한 피로 파괴 현상은 소자의 전기적 신호에 의해 작동되는 모든 전자제품의 수명 및 동작의 신뢰성과 밀접하게 관련된 것으로 전자소자의 정보 처리, 자료 전달 등의 오류를 최소화할 수 있는 핵심 기술 개발로 이어질 것으로 기대된다.


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