`꿈의 반도체’ Fe램 개발 길 열었다
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`꿈의 반도체’ Fe램 개발 길 열었다
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  • 승인 2007.10.18
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  포스텍 신영한 교수, 동역학 성질 첫 규명
 
 
 포스텍 신영한교수가 꿈의 반도체로 불리는 고집적 Fe램 개발의 길을 열었다
 17일 포스텍은 BK21 지식산업형소재시스템사업단의 신영한(35) 교수가 `꿈의 반도체’로 불리는 Fe램에 사용되는 강유전체 도메인의 동역학적 성질을 처음으로 규명했다고 밝혔다.
 포스텍에 따르면 메모리는 캐패시터(Capacitor)를 어떤 물질로 사용하느냐에 따라 그 특성이 크게 달라지는데, Fe램은 현재 사용되고 있는 D램과 거의 같은 구조로 되어 있지만, 캐패시터로 강유전체를 사용해 전원이 꺼져도 데이터를 보관할 수 있을 뿐 아니라 메모리 동작에 사용되는 전압도 낮출 것으로 기대되고 있다.
 따라서 Fe램 개발의 관건은 Fe램의 핵심이라 할 수 있는 강유전체의 성질 규명에 달려 있었다.
 신영한 박사는 범밀도함수론, 분자동역학 시뮬레이션 등 다양한 수준의 접근을 통해 Fe램 내에서 도메인 벽의 움직임을 밝혀냈을 뿐 아니라 도메인 벽 주변의 작은 쌍극자(dipole)가 도메인 벽의 움직임을 원활하게 하는 중요한 역할을 한다는 사실도 규명해냈다.
 또 Fe램의 메모리 저장과 삭제에 관계되는 도메인 벽에 형성되는 결정의 크기가 1.2nm(12Å)정도로 기존의 연구보다 5배 정도 작다는 것과 이 주변의 분극 분포의 퍼짐에 따라 도메인 벽 이동에 필요한 에너지가 낮아진다는 사실을 처음으로 밝혀냈다.
 신영한 박사는 이같은 연구결과를 담은 `강유전체 도메인 벽 움직임의 결정핵생성과 성장 메커니즘(Nucleation and growth mechanism of ferroelectric domain-wall motion)’ 논문을 세계적 과학 저널 `네이처(Nature)’ 18일자를 통해 공개했다.
 한편, 고집적 Fe램(통칭 F램)은 현재 사용중인 플래시 메모리보다 10배 이상 빠른 데이터 저장 속도, 10년 이상의데이터 보존 기간, 3-5V의 낮은 동작 전압사용 등으로 `꿈의 반도체’로 불린다.
 /이지혜기자 hokma@

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