포스텍 조문호 교수 연구팀

    촉매 물질 없이 자발 성장
 
　`촉매없이 스스로 성장하는’ 대면적 나노와이어 기술이 국내 연구진에 의해 세계 최초로 개발됐다.
　포스텍 BK21 지식산업형소재시스템사업단(신소재공학과) 조문호(39·사진)교수 연구팀은 화학기상증착법(chemical vapor depositionㆍCVD)만으로 금속 박막 위에 니켈 실리사이드(NiSi) 나노와이어를 자발 성장시킬 수 있는 공정법을 개발했다.
　기존 화학기상증착법은 나노 촉매를 이용했지만, 이번 조 교수팀은 촉매 물질 없이도 대면적의 박막 위에 자발적으로 나노와이어를 성장시키는 공정을 개발한 것.
　이 기술을 통해 저온에서도 실리사이드의 합성이 가능하다는 사실을 밝혀냈을 뿐 아니라, 니켈 실리사이드 나노와이어 전자방출소자(electron emission device)로도 응용할 수 있다는 가능성도 제시했다.
　니켈의 산화물층이 니켈 실리사이드 나노와이어 성장에 중요한 역할을 한다는 사실도 규명해 이 나노와이어의 성장을 마음대로 조절할 수 있는 기술 개발의 가능성을 연 것으로 평가받고 있다.
　포스텍 관계자는 “이 연구 결과는 전자 소자를 구현하는 핵심적 물질인 니켈 실리사이드 나노와이어의 합성에 대한 성장 메커니즘을 최초로 규명했을 뿐 아니라, 나노와이어의 자발성장 과정에서 니켈 산화물의 역할을 밝혀 나노와이어의 성질을 자유자재로 제어할 수 있게 됐다는데 큰 의미가 있다”고 설명했다.
　나노 기술(NT) 분야의 세계적 권위지인 `나노 레터스(Nano Letters)’ 최신호에 발표된 이 연구는 한국과학재단의 `나노원천기술 개발사업’과 산업자원부의 `System IC 2010 반도체 기반 기술개발사업’ 등의 지원을 받아 이뤄졌다.
　 /남현정기자 nhj@　

   화학기상증착법이란?   IC(집적회로) 등의 제조공정에서 기판 위에 규소 등의 박막을 만드는 방법으로 화학물질을 포함하는 가스에 열이나 빛으로 에너지를 가하거나, 고주파로 플라스마화해 원료물질의 반응성이 높아져 기판 위에 흡착, 퇴적하게 하는 방법이다.