60나노 공정 비해 생산성 55%나 높아
올해 D램 제품 매출 100억달러 달성 전망
 
　삼성전자가 19일 세계 최초로 50나노 1기가 D램반도체를 개발, 본격적인 50나노 D램 시대 개막을 선언했다.
　이로써 삼성전자는 2000년 150나노 기술부터 올해 50나노 기술까지 8세대 연속 세계 최초 D램 신공정 개발을 실현했다.
　50나노 공정 기술은 현재 양산중인 80나노 공정에 비해 3세대 앞선 기술로 생산성이 2배나 뛰어나며, 삼성전자가 작년 세계 최초로 개발한 60나노 공정에 비해서도 생산성이 55%나 높은 최첨단 미세공정 기술이다.
　초고속 동작과 저소비 전력 특성이 강화돼 대용량 PC용 D램과 그래픽 D램, 모바일 D램 등 모든 D램에 확대 적용될 수 있다.
　삼성전자는 50나노 공정을 적용한 D램 제품을 2008년 1.4분기부터 출시할 예정이며, 50나노급 D램 시장 규모가 2008년 50억달러를 시작으로 2011년까지 4년간 550억달러에 달할 것으로 전망했다.
　삼성전자는 `RCAT’와 `SEG’라는 3차원 입체 트랜지스터 구조 신기술과 `복합 유전층’이라는 신물질을 사용함으로써 50나노의 벽을 뛰어넘었다.
　그동안 D램의 경우 낸드플래시보다 구조가 복잡하기 때문에 D램 업체들은 50나노 이하 공정 축소와 제품의 신뢰성 획득에 어려움을 겪어왔다.
　한편 삼성전자는 D램 사업 23년째인 올해 D램 제품 매출이 100억달러를 달성할 것으로 전망했다.
　삼성전자 관계자는 “이번 50나노 개발로 개발 측면에서는 경쟁사와의 격차를 1년이상 확대하게 됐으며, 양산 측면에서도 독자적인 수익성을 유지할 수 있는 기반을 확보하게 됐다”고 말했다.

/연합